台积电CTO估计高NA光刻后年代的芯片制作本钱会暴升
在承受 Bits & Chips 采访时，台积电首席技能官 Martin van den Brink 估计 —— 在不远的将来，半导体光刻技能或走到止境。依照现有的路线图，台积电将在极紫外光刻（EUV）之后转向高数值孔径。该公司现正携手 Imec，预备 2023 年迎来其首台研究型 High-NA 扫描仪。
假如一切顺利，ASML 有望 2024 年交给首台研制机器，并于 2025 年的某个时分迎来第一批运用 High-NA 的量产设备。不过出于对当时供应链不确定性的忧虑，这一终究机遇或有所改动。
此外作为光刻技能发展的下一阶段，估计 High-NA 扫描仪将比 EUV 更耗电、各阶段功率约 2 兆瓦，且制作和运用本钱都会高到让人望而生畏。
Martin van den Brink 总结道：若“超数值孔径”（hyper-NA）的本钱暴升相似“高数值孔径”（Hign-NA），那在战胜该问题之前，它在经济效益层面简直便是不可行的。
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