张弛振荡器_
虚线框内是单结管的等效电路，其间Rb 图2虚线框内是单结管的等效电路，其间Rb1、Rb2分 别为发射极e至两个基极b 之间的等效电阻。 别为发射极e至两个基极b1、 b2之间的等效电阻。
效果下Rb 两头的电压为: 在正置电压 Ubb效果下Rb1两头的电压为:
上的电压u 逐步升高达峰点电压V C1上的电压uc逐步升高达峰点电压VP时，e-b1导通，单结管 b 导通， 进入负阻状况， 通过e b 以时刻常数(R 敏捷放电 进入负阻状况，C1通过e-b1经R4以时刻常数(Rb1R4)*C1敏捷放电 Rbl敏捷下降 敏捷下降， R） （因Rbl敏捷下降，且R4R）其间 t − t 1
1、单结管 单结管是单结晶体管的简称，它只要一个PN PN结 单结管是单结晶体管的简称，它只要一个PN结、 但却有一个发射极“ 和两个基极b1、b2， 和两个基极b1 但却有一个发射极“e”和两个基极b1、b2，所以又称 为双基极管。图1是单结管的图形符号。 为双基极管。 是单结管的图形符号。
2、张弛振荡器 使用单结管的负阻特性和RC RC电路 使用单结管的负阻特性和RC电路 的充放电性， 的充放电性，能够组成频率可变的张 弛振荡电路。如图所示。 弛振荡电路。如图所示。
电源未接通前， 上的电压为零， t=0时刻开封闭和 时刻开封闭和， 电源未接通前，C1上的电压为零，设t=0时刻开封闭和，C1通 以时刻常数（ 充电，电容C两头的电压为: 过R以时刻常数（R*C1）充电，电容C两头的电压为:
单相半波可控硅整流调光体系的电压波形： 2、单相半波可控硅整流调光体系的电压波形：
1.总结张弛振荡器和调光体系或调速体系的作业进程。 1.总结张弛振荡器和调光体系或调速体系的作业进程。 总结张弛振荡器和调光体系或调速体系的作业进程 2.把使命1 使命2中调查到的各点波形画在坐标纸上， 2.把使命1、使命2中调查到的各点波形画在坐标纸上， 把使命 与理论剖析核算作比较。 与理论剖析核算作比较。 3.剖析阐明图6电路中主回路与操控回路的同步原理。 3.剖析阐明图6电路中主回路与操控回路的同步原理。 剖析阐明图 4.答复思考题: 4.答复思考题: 答复思考题 (1)单结管张弛振荡器的频率主要是由什么决议的？ (1)单结管张弛振荡器的频率主要是由什么决议的？ 单结管张弛振荡器的频率主要是由什么决议的 (2)为取得较高的频率，减小R与减小C有什麽差异？ (2)为取得较高的频率，减小R与减小C有什麽差异？ 为取得较高的频率 (3)这两个参数的下限受什麽条件约束？ (3)这两个参数的下限受什麽条件约束？ 这两个参数的下限受什麽条件约束
1.修改“张弛振荡电路” 1.修改“张弛振荡电路” 修改 (1)丈量单结管2N6027的峰点电压 丈量单结管2N6027的峰点电压V 谷点电压V (1)丈量单结管2N6027的峰点电压VP、谷点电压VV； （=50%R5） (2)丈量RC充放电周期 丈量RC充放电周期T (2)丈量RC充放电周期T（=50%R5、50%R5、50%R5） 画出不同周期下的 uC、uR波形 (3)核算分压比 (3)核算分压比η =？ 频率f =？ 2.修改 单相半波可控硅整流调光体系电路” 修改“ 2.修改“单相半波可控硅整流调光体系电路” (1)丈量可控硅导通的初始相位角及最大移相角 丈量可控硅导通的初始相位角及最大移相角， (1)丈量可控硅导通的初始相位角及最大移相角，计 算移相规模； 算移相规模； (2)R5=？时 ω t = π ，画出 ω t = π 时的uS、uZ、uW、 2 2 uC、uR、uSCR、ud 波形。 波形。
SCR虽接受正向电压 1、0—α：可控硅SCR虽接受正向电压，但触发脉 α 可控硅SCR虽接受正向电压， 为零，所以SCR处于正向阻断状况。 SCR处于正向阻断状况 冲电压ug为零，所以SCR处于正向阻断状况。 2、α—π：SCR仍接受正向电压，且在ωt=α时刻 π SCR仍接受正向电压，且在ω 仍接受正向电压 SCR触发导通 触发导通， 呈现触发脉冲电压ug,使SCR触发导通，导通后 SCR两头压降很小，这时触发脉冲尽管消去了 SCR两头压降很小， 两头压降很小 过零时停止。 SCR仍持续导通， SCR仍持续导通，直至电源电压u2过零时停止。 仍持续导通 SCR接受反向电压 接受反向电压， 3、π—2π：SCR接受反向电压，不管有无触发脉冲 2 电压，SCR均不导通，即处于反向阻断状况。 电压，SCR均不导通，即处于反向阻断状况。 均不导通 因为触发脉冲呈现的时刻是能操控的所以达到了可 控整流的意图。 控整流的意图。
当C1上的电压降到谷点电压VV 时，通过R供应的电流小于谷 上的电压降到谷点电压V 通过R 点电流，不能够满意导通的要求，所以e b 之间的电阻R 点电流，不能够满意导通的要求，所以e-b1之间的电阻Rb1敏捷增 单结管康复阻断状况。然后C 又从头充电重复上述进程。 大，单结管康复阻断状况。然后C1又从头充电重复上述进程。由 的放电远远小于充电时刻常数（ ），所以 所以C 于C1的放电远远小于充电时刻常数（R*C1），所以C1上的电压 Uc 呈锯齿波，R4 上的电压 uR4 为正向脉冲。 呈锯齿波， 为正向脉冲。
1.学惯用 仿真软件设计张弛振荡电路、 1.学惯用Multisim7仿真软件设计张弛振荡电路、 学惯用 仿真软件设计张弛振荡电路 单向半波可控硅整流调光体系，并调查波形； 单向半波可控硅整流调光体系，并调查波形； 2.用学过的电路理论调查并剖析张弛振荡器的作业 2.用学过的电路理论调查并剖析张弛振荡器的作业 进程； 进程； 3.丈量张弛振荡器的频率、 3.丈量张弛振荡器的频率、周期及脉冲的幅值和宽 丈量张弛振荡器的频率 度； 4.调查非线性电路中发生的跃变现象。 4.调查非线性电路中发生的跃变现象。 调查非线性电路中发生的跃变现象
3、可控硅整流元件 可控硅的图形符号及特性均线所示。 可控硅的图形符号及特性均线.正向功能 当阳极a加正电压，阴极c 正向功能: 1.正向功能: 当阳极a加正电压，阴极c加负电压 称为正向） 若操控极g不加操控电压， （称为正向）时，若操控极g不加操控电压，管 子处于截止状况，仅有很小的漏电流I 子处于截止状况，仅有很小的漏电流IF，称为 正向阻断状况，见特性曲线的OA OA段 正向阻断状况，见特性曲线.反向功能 当阳极加负电压，阴极加正电压时， 反向功能: 2.反向功能: 当阳极加负电压，阴极加正电压时， 其特性和二极管反向特性类似， 其特性和二极管反向特性类似，称为反向阻断 状况，见特性曲线的OD OD段 状况，见特性曲线.当元件处于正向阻断状况时 当元件处于正向阻断状况时， 3.当元件处于正向阻断状况时，若所加阳极电压 上升太快（虽未超越正向转机电压），也会使 上升太快（虽未超越正向转机电压），也会使 ）， 元件由正向阻断状况变为导通状况， 元件由正向阻断状况变为导通状况，这在实践 作业中是应该防止的。 作业中是应该防止的。
